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“針對(duì)PCBA抗焊墊坑裂特性，以冷球拉力測(cè)試，驗(yàn)證您的高頻高速PCB的介電材料強(qiáng)度”

網(wǎng)絡(luò)通訊包含有線寬頻和無(wú)線傳輸，不斷發(fā)展更為快速的傳輸速度，從3G進(jìn)展到現(xiàn)今的4G/LTE世代，物聯(lián)網(wǎng)(IoT)成為未來(lái)電子產(chǎn)業(yè)的趨勢(shì)，國(guó)際標(biāo)淮組織ITU提出5G時(shí)程規(guī)劃表，預(yù)計(jì)在2020年前完成正式標(biāo)淮規(guī)范后開始布建5G商用系統(tǒng)，訊號(hào)傳輸速度和容量的增加帶動(dòng)通訊市場(chǎng)中的云服務(wù)快速發(fā)展。

 

華為數(shù)據(jù)中心研調(diào)機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2015年家庭和企業(yè)等各種新應(yīng)用中的82%已經(jīng)使用云端，2016年的全球電信收入中，IT云服務(wù)收入將達(dá)到4900億美金[1]，另外依國(guó)際研調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner(2016)所提出的最新資料顯示，2016年第二季全球服務(wù)器出貨量較往年同期成長(zhǎng)，由以中國(guó)服務(wù)器品牌聯(lián)想、華為和浪潮出貨量百分比有顯著的二位數(shù)成長(zhǎng)。

圖1-行動(dòng)通訊4G/5G時(shí)間表 (資料來(lái)源: 國(guó)際電信聯(lián)盟ITU[2])

 

根據(jù)工研院2016年的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，銅箔基板材種類中，高速板材在2015年的年需求量成長(zhǎng)幅度為6.6%，市場(chǎng)值達(dá)5.76億，隨著全球物聯(lián)網(wǎng)云端應(yīng)用，中國(guó)各地建設(shè)數(shù)據(jù)中心和基地臺(tái)，更帶動(dòng)高速板材和高耐熱板材，預(yù)估2017年的年需求量成長(zhǎng)幅度為4.4%，市場(chǎng)值達(dá)6.44億。[3]因此云端數(shù)據(jù)中心的資料儲(chǔ)存和數(shù)據(jù)處理的服務(wù)器、通信設(shè)備和各終端電子設(shè)備等硬件也須支援日益提升的網(wǎng)路傳輸速度性能，所以在電路設(shè)計(jì)和板材選擇將需考慮高頻高速的通訊傳輸速度，絕緣材采用低介電材料(Dk: 3-4.2 @ 1GHz, Df : <= 0.005 @ 1GHz)和低粗糙度的銅導(dǎo)體(Low Roughness)以降低訊號(hào)傳輸?shù)膶?dǎo)體損失，另外電路板也須具有更高的結(jié)合強(qiáng)度與球徑和間距較小的BGA元件，以及較高的玻璃轉(zhuǎn)移溫度(Tg)在無(wú)鉛PCBA組裝的要求。

 

由于這些終端產(chǎn)品必須長(zhǎng)期的使用與運(yùn)作，除了必要的電氣與熱性能的外，這些基礎(chǔ)設(shè)備與產(chǎn)品也必須考慮更加嚴(yán)格的可靠度要求。并且使用較厚且大的電路板尺寸來(lái)符合基礎(chǔ)建設(shè)類產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。另外考慮的其他因素包括：

 

1. 以較高的填料含量，減少水分的吸收和熱膨脹系數(shù)

2. 無(wú)鹵阻燃劑的熱機(jī)械可靠性和環(huán)保相容性

3. 較低溫制程中，樹脂需與銅焊墊和導(dǎo)體有良好黏著性

4. 使用硅表面處理的低介電常數(shù)玻璃纖維。

 

綜合上述因素，較令人擔(dān)憂的是，和過(guò)去錫鉛焊料與依常規(guī)使用未填充雙氰胺固化的介電材料相比，這些用來(lái)提高溫度和性能需求的新材料，在專門針對(duì)信息通信技術(shù)和其他處理階段的印刷電路板組裝過(guò)程中，由于IC封裝的尺寸較大、焊墊直徑較小、迭層更復(fù)雜等，將導(dǎo)致印刷電路板發(fā)生焊墊坑裂失效情形提高，或加快產(chǎn)生產(chǎn)品在運(yùn)輸和使用壽命期間，其潛在導(dǎo)電性細(xì)絲物(CAF)的成長(zhǎng)及熱機(jī)械可靠性的問(wèn)題，另外，如AI人工智慧晶片以陶瓷基板作封裝為主，封裝尺寸也較大可達(dá)70mm×70mm，由于AI晶片需進(jìn)行高運(yùn)算處理，高I/O腳數(shù)會(huì)導(dǎo)致焊墊直徑較小和較細(xì)間距(Fine Pitch)，因此也容易發(fā)生同樣問(wèn)題。

 

在IPC-9708中，焊墊坑裂定義是介電材料在印刷電路板中受機(jī)械應(yīng)力產(chǎn)生的裂紋或表面黏著元件在焊墊下方的斷裂，最常見的是在BGA封裝，如圖1[5]。在印刷電路板組裝過(guò)程中，受到機(jī)械板彎或落下沖擊的應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致以下幾種在錫球附近的失效模式，發(fā)生這些失效模式的可能原因包含錫球焊接冶金、封裝類型、結(jié)構(gòu)、組裝電路板的組件與焊墊尺寸比例、PCB材料等，在不同的應(yīng)力下，通常這些失效模式有可能會(huì)同時(shí)發(fā)生。

圖1 – 焊墊坑裂在具結(jié)合力的介電材料失效裂紋往下到玻璃纖維的例子[5]
 

根據(jù)IPC-9708標(biāo)淮規(guī)定各種不同的焊墊坑裂失效模式圖例如下：

焊墊剝離(圖2)：

錫球焊墊與錫球剝離 ; 剝離可能包括破裂的基礎(chǔ)材料。這種失效模式是一個(gè)(銅箔)接合類型失效，相對(duì)于焊墊坑裂，它是一個(gè)介電層中黏合的失效模式。

圖2-焊墊剝離
 

導(dǎo)體開裂(圖3)：

印刷電路板焊墊被剝離，但仍部分連接到導(dǎo)體，且黏合失效。

圖3-導(dǎo)體開裂
 

玻璃纖維曝露的坑裂(圖4)：

印刷電路板焊墊坑裂和底層的玻璃纖維曝露。

圖4-玻璃纖維曝露的坑裂
 

玻璃纖維沒(méi)有裸露的坑裂(圖5)：

印刷電路板焊墊的坑裂，底層樹脂暴露，但沒(méi)有見到玻璃纖維，一種介電材料中樹脂的黏著失效。

圖5-玻璃纖維沒(méi)有裸露的坑裂

 

為了減少焊墊坑裂的發(fā)生，有必要以機(jī)械應(yīng)力來(lái)測(cè)試各介電材料的抗性。因此，開發(fā)了各種驗(yàn)證測(cè)試方法，如機(jī)械板彎/彎曲測(cè)試、聲射檢測(cè)、落下沖擊、冷球拉力及熱針拉力等。前三種測(cè)試目的是以組裝電路板為測(cè)試載體，而最后兩種是為了以印刷電路板為測(cè)試載體。組裝電路板載體的測(cè)試通常在不同的應(yīng)變和應(yīng)變率下會(huì)同時(shí)產(chǎn)生多種失效模式，因此需花費(fèi)更多時(shí)間來(lái)分離各單獨(dú)失效模式的形成原因，并從中確定裝配中最薄弱的位置。

 

由于包含較高的動(dòng)力加速度和許多變量，如焊接冶金、封裝類型、結(jié)構(gòu)、PCBA組裝電路板的組件與焊墊尺寸比例及材料等，這也意味著PCBA組裝電路板級(jí)別測(cè)試并沒(méi)有時(shí)間及成本效益。而焊墊載體測(cè)試中，它更易于控制焊墊下方介電層的失效模式，并定義焊墊、樹脂和玻璃纖維的間的黏合力。在此研究中所提及的這兩種焊墊級(jí)別的測(cè)試，因?yàn)槔淝蚶υ囼?yàn)過(guò)程中沒(méi)有本身引起額外的變異熱量介入試驗(yàn)，所以試驗(yàn)過(guò)程中產(chǎn)生的變異數(shù)比熱針拉力試驗(yàn)更容易控制。

 

這項(xiàng)研究中，介電材料的3種基本類型包括有：

1. 高玻璃轉(zhuǎn)移溫度(無(wú)酚醛填料)FR4

2. 高玻璃轉(zhuǎn)移溫度(無(wú)鹵)FR4

3. 高速材料類。

這3類材料在冷球拉力（CBP）的試驗(yàn)所造成焊墊坑裂的效果會(huì)有較佳的敏感性。

 

實(shí)驗(yàn)的設(shè)置和步驟

測(cè)試板

表1列出了本研究中所使用來(lái)自不同材料制造商的介電材料的機(jī)械特性與特點(diǎn)，這些材料都是專門為高性能服務(wù)器、網(wǎng)路和通信應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該材料是由數(shù)個(gè)制造商提供，并且全部都符合無(wú)鉛工藝規(guī)范要求。該迭層包括6層的介電材料，所有的電路板層迭在相同的印刷電路板上。最終的測(cè)試板尺寸為60mm（長(zhǎng)）×60mm（寬）×2.2mm（厚）。并用化錫做表面處理。

銅箔 基板	材料類型	樹脂含量 (%)	1OZ的剝離強(qiáng)度 (lb/in)	彎曲強(qiáng)度 (MPa)	制造商
A	高玻璃轉(zhuǎn)移溫度(無(wú)鹵)FR4	53	4.5	460~500	M1
B	高速材料	53	4.0	420~450	M1
C	高玻璃轉(zhuǎn)移溫度(無(wú)鹵)FR4	53	5.1~6.8	>400	M3
D	高速材料	53	5.5	400	M4
E	高玻璃轉(zhuǎn)移溫度無(wú)填料的酚醛FR4	53	8~11	>380	M2
F	高速材料	53	5~7	>350	M2

表1 -不同介電材料的特性與特點(diǎn) (* IPC4101C規(guī)格表與制造商的數(shù)據(jù))

 

每個(gè)測(cè)試板有5個(gè)測(cè)試區(qū)域（10mm×10mm），每個(gè)區(qū)域具有不同焊墊尺寸，范圍從14mil至18mil以1mil遞增。焊墊在設(shè)計(jì)與實(shí)際的直徑有差異，因此必須先測(cè)量并選取實(shí)際直徑為16mil的焊墊進(jìn)行試驗(yàn)來(lái)減少變異。其中所有的焊墊皆以非阻焊層限定(NSMD)設(shè)計(jì)，并且所有焊墊與阻焊層的間保持5mil的間隙(如圖6)，使焊墊與焊料球有最佳的結(jié)合空間。
 

圖6-測(cè)試板的設(shè)計(jì)

 

實(shí)驗(yàn)流程

圖7的示意圖說(shuō)明整個(gè)實(shí)驗(yàn)流程，必須用光學(xué)顯微鏡（OM）進(jìn)行測(cè)定所有的焊墊直徑，并選取直徑在16mil ±1％范圍的焊墊來(lái)做研究試驗(yàn)。
 

圖7-實(shí)驗(yàn)流程

 

植球

首先將測(cè)試板放置到一個(gè)固定治具上，利用網(wǎng)板將SAC錫膏印刷至測(cè)試板的焊墊上，再使用20mil直徑的SAC錫球，然后利用落球網(wǎng)板使錫球落在錫膏上。錫球附著于均勻涂布的錫膏后，移除落球網(wǎng)板(參見圖8-(a) & 9-(b))。再經(jīng)過(guò)回流焊爐烘烤并在回流焊過(guò)程中加入氮?dú)夥乐箻悠繁谎趸?(參見圖8-(c))。
 

圖8 – (a)錫膏涂布 (b)落球位置 (c)經(jīng)回流焊后，錫球與測(cè)試板的結(jié)合
 

圖9表示植球的合格參考標(biāo)淮。任何一個(gè)經(jīng)回流焊的后的錫球下方如有露銅，結(jié)合強(qiáng)度會(huì)受影響，故將排除該球進(jìn)行冷球拉力試驗(yàn)。只有焊墊被焊料完全覆蓋與結(jié)合才認(rèn)為是可以接受的，如圖9-(b)和9-(c)所示。

圖9 – 植球的參考標(biāo)淮
 

冷球拉力試驗(yàn)的設(shè)置

圖10的冷球拉力設(shè)備裝置可使用同一種夾具操作測(cè)試，并用于一定范圍內(nèi)各種不同尺寸的錫球。

圖10 -(a)冷球拉力測(cè)試設(shè)備 (b)測(cè)試板固定臺(tái)(c)拉球夾具

 

收集數(shù)據(jù)

在焊墊直徑16mil的陣列中選取50個(gè)點(diǎn)做拉力測(cè)試，每種材料有5片測(cè)試板，每片測(cè)試板選擇50個(gè)點(diǎn)，所以共有250點(diǎn)做拉力測(cè)試數(shù)據(jù)，測(cè)試后再以統(tǒng)計(jì)軟件來(lái)做分析統(tǒng)計(jì)。測(cè)試后產(chǎn)生的失效模式會(huì)根據(jù)材料 、制程流程和幾何設(shè)計(jì)而有所不同。這些失效模式包括：
1. 錫球斷裂

2. 金屬合金IMC層的斷裂

3. 印刷電路板的焊墊坑裂，或是以上失效模式的綜合(見圖11)。
 

本研究的重點(diǎn)方面在于印刷電路板的焊墊坑裂失效模式，失效種類可以分為4類，包括：

1. 焊墊剝離

2. 導(dǎo)體開裂

3. 玻璃纖維曝露的坑裂

4. 玻璃纖維沒(méi)有裸露的坑裂 ，(參見圖2~圖5)。
 

裂紋本身會(huì)依循阻力最小的路徑延伸來(lái)減輕應(yīng)力，一開始可能沿著焊墊邊緣穿過(guò)整個(gè)樹脂向下蔓延，或集結(jié)在焊墊下方的樹脂和玻璃纖維的間，或斷裂至焊墊（導(dǎo)體）下方的介電層。這個(gè)坑裂失效可能不會(huì)馬上導(dǎo)致電路斷路，但的后可能在運(yùn)輸和持續(xù)的使用下導(dǎo)致裂紋擴(kuò)展引起電氣故障。

 

結(jié)果與討論

冷球拉力的典型失效模式

圖11 – 冷球拉力測(cè)試過(guò)程中的典型失效模式
 

介電材料的設(shè)計(jì)有許多變數(shù)，如：樹脂成分、固化劑、玻璃樹脂含量、填料的含量等，找出哪個(gè)才是提高抗斷裂性以減輕失效的最大因子是相當(dāng)不容易的。從斷裂力學(xué)的觀點(diǎn)來(lái)看，在基質(zhì)中不同成分的間的黏合力是難以透過(guò)這種測(cè)試方法來(lái)量化。原因是當(dāng)裂紋發(fā)生時(shí)，樹脂材料本身可以吸收大部分?jǐn)嗔涯芰?，裂縫深度分布的失效模式是隨機(jī)的。因此，單靠一種測(cè)試的基礎(chǔ)上，我們只能斷定改善樹脂本身的斷裂韌性是一個(gè)提升材料性能的方向。遺憾的是，對(duì)這些材料并沒(méi)有一套標(biāo)淮的方法或規(guī)定可用于測(cè)試抗斷裂韌性。因此只能使用一般的機(jī)械性質(zhì)以尋求關(guān)聯(lián)性，如：彎曲模數(shù)、彎曲強(qiáng)度及剝離強(qiáng)度。

 

一、Halogen-free介電材料結(jié)果與討論

冷球拉力（CBP）試驗(yàn)的目的是藉由從焊墊上的焊球垂直往上拉動(dòng)，來(lái)觀察焊墊(Cu Foil)與其下面介電材料的間斷裂的強(qiáng)度。雖然這項(xiàng)測(cè)試不足以確認(rèn)裂紋的起始點(diǎn)與擴(kuò)展軌跡，但可以量化整個(gè)斷裂過(guò)程的總能量。

 

圖12和表2顯示6種材料在冷球拉力試驗(yàn)中的斷裂強(qiáng)度。我們可以觀察到這六種材料在結(jié)果上有些微的不同，其中B類材料可觀察到較低的斷裂強(qiáng)度(約880克)。而這六種材料的標(biāo)淮差都在可接受范圍內(nèi)，使得其所擁有的斷裂強(qiáng)度平均值是可以作為比較的。并且從這6種材料各拿一片去做橫截面，確定其中沒(méi)有焊點(diǎn)缺陷的存在，如：空焊、冷焊、空洞等，因?yàn)檫@些因素會(huì)影響整個(gè)試驗(yàn)的結(jié)果(見圖11)。

 

高玻璃轉(zhuǎn)移溫度(無(wú)酚醛填料)FR4(材料E)的拉力強(qiáng)度優(yōu)于高玻璃轉(zhuǎn)移溫度(無(wú)鹵)FR4(材料A、C)與高速材料類(材料B、D、F)，這說(shuō)明了較少的樹脂填料含量可能增強(qiáng)附著力或降低樹脂的脆性。表1還顯示出材料E（制造商M2）有最高的剝離強(qiáng)度（對(duì)于銅有很好的附著力）。由圖12可以觀察到E材料的失效為IPC-9708規(guī)范中”玻璃纖維曝露的坑裂”失效模式(見圖4)。這種失效類型可能是較為理想的失效模式，顯現(xiàn)其對(duì)于焊墊坑裂有較高的抗性。

 

相較的下，在這項(xiàng)研究中表現(xiàn)最差的B材料（高速材料）也有類似的失效模式，但玻璃纖維斷裂的區(qū)域比樹脂大。人們一般認(rèn)為較高的填料含量樹脂是降低電介質(zhì)的介質(zhì)常數(shù)和熱膨脹系數(shù)的理想設(shè)計(jì)，但其副作用是增加脆性和彈性系數(shù)或減少樹脂對(duì)玻璃纖維的附著力。表1說(shuō)明材料B（制造商M1）因其更脆的材料、銅箔特性與低黏附性而顯示出較低的剝離強(qiáng)度。另一方面，D與F這兩種高速材料為不同制造商提供(M2與M4)雖然與B材料有相同的樹脂含量(皆為53%)，但冷球拉力與剝離強(qiáng)度皆比B材料高。所以在填裝過(guò)程中，樹脂的化學(xué)特性會(huì)影響其密合度。(注：填料的質(zhì)量比例是未知的，但可以再進(jìn)一步研究討論。)

 

A和C材料為高Tg無(wú)鹵FR4s設(shè)計(jì)但來(lái)自不同制造商（M1和M3），其冷球拉力測(cè)試強(qiáng)度相似，但失效模式卻不同(圖12)。在A材料的失效模式是類似于上面提到的那些帶有部分外露加上樹脂破裂的玻璃纖維，而C材料中的失效位置似乎在樹脂層中，是屬于”玻璃纖維沒(méi)有裸露的坑裂”的失效類型(圖5)。的后使用橫截面觀察側(cè)面并進(jìn)一步分析(圖13) 可以得出結(jié)論：失效模式仍然是在圖5的類型并表示出不同的玻璃纖維結(jié)構(gòu)。阻燃劑從臭化類型轉(zhuǎn)換到無(wú)鹵類型通常會(huì)降低樹脂對(duì)銅和玻璃纖維的黏著性。為了提高性能，建議修改樹脂的化學(xué)成分或施加偶合劑到玻璃纖維（浸漬的前）來(lái)增加黏合力。

圖12- 6種介電材料的冷球拉力試驗(yàn)強(qiáng)度
 

銅箔 基板	制造商	材料類型	標(biāo)淮差	平均值 (克)
A	M1	高玻璃轉(zhuǎn)移溫度(無(wú)鹵)FR4	84.76	1104.2
B	M1	高速材料	66.7	880.5
C	M3	高玻璃轉(zhuǎn)移溫度(無(wú)鹵)FR4	48.6	1019.2
D	M4	高速材料	64.2	1086.9
E	M2	高玻璃轉(zhuǎn)移溫度無(wú)填料的酚醛FR4	78.6	1127.5
F	M2	高速材料	66.4	1091.6

表2 – 冷球拉力測(cè)試的數(shù)據(jù) (樣品數(shù)：250顆/材料)
 

 

圖13- 6種材料在冷球拉力試驗(yàn)前的橫截面

圖14- 冷球拉力試驗(yàn)后，光學(xué)顯微鏡下的失效模式
 

 

圖15-冷球拉力試驗(yàn)后，C材料的橫截面?zhèn)纫晥D

 

二、超低損耗介電材料 (Dk: 3-4.2 @ 1GHz, Df : <= 0.005 @ 1GHz)的應(yīng)用與討論

參考自作者于2017年2月在IPC-APEX發(fā)表的Cold Ball Pull Test Efficiency for the PCB Pad Cratering Validation with the Ultra Low Loss Dielectric Material論文[6]，此篇論文提到即使印刷電路板使用相同的介電材料和電路板的迭構(gòu)，并依照同一份電路板設(shè)計(jì)圖和板材所制作的電路板，其成品仍會(huì)因?yàn)椴煌碾娐钒鍙S制程設(shè)定影響而會(huì)有所不同，表3為銅焊墊的實(shí)際量測(cè)值(從16到18mils)，測(cè)試板材是由4間板廠所提供的印刷電路板，經(jīng)量測(cè)后選擇銅焊墊大小的實(shí)際值接近16mils進(jìn)行冷球拉力測(cè)試。
 

表 3– 選擇PCB焊墊大小進(jìn)行冷球拉力試驗(yàn)[6]
 

在先前部分介紹到IPC-9708標(biāo)淮規(guī)定各種不同的焊墊坑裂失效模式可作為介電材料強(qiáng)度判斷的依據(jù)。以下列出不同材料在各別板廠的表現(xiàn)評(píng)比。

 

1. G 廠：G3>GL>GE>GY

2. H 廠：H1>HW>H3>H5>HL>HY

3. V 廠：VR>VY>VE

4. T 廠：TY>TR>T8>TE>T2
 

由圖16的箱型圖顯示每種介電材料的平均數(shù)和標(biāo)淮差，從數(shù)據(jù)可以看到雖然是相同的材料，但在不同板廠制作下有不同的表現(xiàn)結(jié)果；反之，不同的材料在同一版廠制作下的結(jié)果。例如，材料TY的強(qiáng)度在板廠T的制程和板廠G的制程相比之下，在板廠T的制程下表現(xiàn)顯著優(yōu)秀。另外，在相同的G板廠制程下，材料G3的強(qiáng)度表現(xiàn)比材料GY優(yōu)秀。板廠制程設(shè)定的不確定因素和銅焊墊的大小皆會(huì)影響電路板的表現(xiàn)性，因此藉由材料強(qiáng)度的評(píng)比結(jié)果可了解介電材料在每間板廠的強(qiáng)度表現(xiàn)。電路板廠可藉由此冷球拉力試驗(yàn)評(píng)估哪種介電材料在廠內(nèi)制程下有最好的表現(xiàn)，以降低因焊墊坑裂所導(dǎo)致的退貨率；但是也因?yàn)榘鍙S制程設(shè)定的變數(shù)影響，無(wú)法就結(jié)果判定不同介電材料表現(xiàn)性的強(qiáng)弱。
 

圖 16-冷球拉力試驗(yàn)后，介電材料強(qiáng)度的表現(xiàn)性[6]

 

結(jié)果

參考自IPC-9708的冷球拉力測(cè)試是用來(lái)描述不同介電材料的焊墊坑裂性能。謹(jǐn)慎執(zhí)行此測(cè)試實(shí)驗(yàn)且沒(méi)有出現(xiàn)異常結(jié)果時(shí)，即可證明這是可再現(xiàn)的測(cè)試方法，意味著在實(shí)務(wù)上這是一個(gè)良好的測(cè)試方法。雖然此研究無(wú)法明確的指出介電材料在通過(guò)何種冷球拉力強(qiáng)度后是有能力承受在產(chǎn)品實(shí)際的運(yùn)送及使用中的電路板焊墊坑裂，但能夠：

1. 提供在樹脂系統(tǒng)的選擇和設(shè)計(jì)的指標(biāo)，這些要素將影響焊墊坑裂相關(guān)的敏感性，從而使終端用戶能夠選擇最佳的材料。

2. 讓電路板廠可藉由冷球拉力試驗(yàn)評(píng)估數(shù)種材料在廠內(nèi)制程設(shè)定下，選擇有最佳表現(xiàn)性的材料。還有其他的測(cè)試方法與此研究相關(guān)，如：沖擊試驗(yàn)、球形彎曲測(cè)試、動(dòng)態(tài)力學(xué)分析(DMA)等在持續(xù)進(jìn)行。